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項(xiàng)目 |
TB6600HQ/HG |
TB6560AHQ |
TB6600HQ/HG的優(yōu)勢(shì) |
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封裝 |
HZIP25-1.00F |
HZIP25-P-1.27 |
更加緊密的封裝和管腳間距 |
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體積 |
28.8*15.7*4.5 |
36*14*5 |
體積小了20% |
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重量 |
7.7g |
9.86g |
重量輕了22% |
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****電壓 |
50V |
40V |
耐壓增加了25% |
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工作電壓 |
8～45V |
8～34V (VM)
4.5～5.5V (VCC) |
只需一路電源
更易使用 |
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輸出****電流 |
5.0A |
3.5A |
峰值電流更大 |
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輸出額定電流 |
4.5A |
3.2A |
驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng) |
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細(xì)分方式 |
1、2、4、8、16 |
1、2、8、16 |
終于增加了4細(xì)分模式 |
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導(dǎo)通電阻 |
0.4Ω |
0.6Ω |
導(dǎo)通電阻更低，發(fā)熱更小 |
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混合衰減模式 |
自動(dòng) |
手動(dòng) |
降低調(diào)試的復(fù)雜程度 |
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待機(jī)模式 |
有 |
無(wú) |
待機(jī)時(shí)消耗更少電能 |
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保護(hù)功能 |
過(guò)熱、欠壓、過(guò)流 |
過(guò)熱 |
增加了實(shí)用的欠壓和過(guò)流保護(hù) |
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警告輸出 |
有 |
有 |
有助于安全設(shè)計(jì) |
優(yōu)勢(shì)
1.外形比TB6560AHQ小了不少，管腳也更加緊密，而且管腳排布比TB6560更加合理，輸入輸出和大電流管腳都分開(kāi)了，對(duì)于pcb制作有很大幫助；
2.芯片自帶5V輸出，省了一路電源，也就省了一部分成本，對(duì)于批量生產(chǎn)的客戶有很大幫助；
3.芯片自帶欠壓保護(hù)，這個(gè)很有用，如果電源出現(xiàn)異常避免了驅(qū)動(dòng)出問(wèn)題的情況；
4.芯片自帶過(guò)流保護(hù)，這個(gè)功能太牛了，簡(jiǎn)直是跨時(shí)代的杰作，因?yàn)槲覀冊(cè)谝婚_(kāi)始測(cè)試的時(shí)候電流算錯(cuò)了，以為是3.5a，實(shí)際已經(jīng)是7A了，芯片直接保護(hù)，要是換了別的芯片估計(jì)瞬間爆炸是****的了。而且如果是電機(jī)的相線之間、相線與電源之間、相線與地之間短路芯片都會(huì)保護(hù)；
5.芯片發(fā)熱量還是有一些的，尤其是在電壓36V以上、電流為4A以上時(shí)，需要加個(gè)大的散熱器才行。不過(guò)芯片自帶過(guò)熱保護(hù)，也不同擔(dān)心燒毀問(wèn)題。
TB6600HQ/HG輸出電流的設(shè)定方式：
TB6600輸出****電流大小由Vref(pin5)和采樣電阻(Rnf)決定，其公式如下：
Io = (1/3 × Vref) ÷ RNF
即：輸出電流=Vref(參考電壓)÷3÷采樣電阻
如：Vref=3V，Rnf=0.4Ω，則Io=2.5A
注意：平均電流低于理論計(jì)算值，因?yàn)椴竭M(jìn)系統(tǒng)標(biāo)稱的電流值為峰值
RNF(采樣電阻)應(yīng)≥0.2Ω。
過(guò)熱保護(hù)和過(guò)流保護(hù)恢復(fù)模式選擇：
L：閉鎖模式---即遇到過(guò)熱或過(guò)流情況，芯片進(jìn)入保護(hù)模式，關(guān)斷輸出。建議使用此模式
H：自恢復(fù)模式---即遇到過(guò)熱或過(guò)流情況，芯片保護(hù)并自動(dòng)恢復(fù)，如錯(cuò)誤狀態(tài)一直存在，則芯片循環(huán)于保護(hù)-恢復(fù)兩種狀態(tài)，請(qǐng)盡量避免使用此模式
